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儲(chǔ)能變流器PCS中SiC
碳化硅
MOSFET會(huì)加速替代IGBT
為什么在儲(chǔ)能變流器PCS中SiC
碳化硅
MOSFET會(huì)加速替代IGBT!使用基本公司SiC
碳化硅
MOSFET打造全SiC
碳化硅
儲(chǔ)能變流器PCS!-傾佳電子
2024-06-25 07:26
[天津]
天津威柏德電子有限公司
[已核實(shí)]
面議
風(fēng)電變流器中SiC
碳化硅
MOSFET模塊會(huì)替代IGBT模塊
為什么在風(fēng)電變流器中SiC
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MOSFET模塊會(huì)替代IGBT模塊!使用基本公司SiC
碳化硅
MOSFET功率模塊打造全SiC
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風(fēng)電變流器!-傾
2024-06-25 07:25
[天津]
天津威柏德電子有限公司
[已核實(shí)]
面議
伺服驅(qū)動(dòng)器中SiC
碳化硅
MOSFET逐步取代IGBT
為什么在伺服驅(qū)動(dòng)器中SiC
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MOSFET逐步取代IGBT!使用基本公司SiC
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MOSFET打造全SiC
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伺服驅(qū)動(dòng)器!-傾佳電子(Change
2024-06-25 07:23
[天津]
天津威柏德電子有限公司
[已核實(shí)]
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逆變焊機(jī)中SiC
碳化硅
MOSFET全面革掉IGBT的命
為什么在逆變焊機(jī)中SiC
碳化硅
MOSFET全面革掉IGBT的命!使用基本公司SiC
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MOSFET打造全SiC
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逆變焊機(jī)!-傾佳電子(Change
2024-06-25 07:22
[天津]
天津威柏德電子有限公司
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光伏逆變器中SiC
碳化硅
MOSFET正在替代IGBT
為什么在光伏逆變器中SiC
碳化硅
MOSFET正在替代IGBT!使用基本公司SiC
碳化硅
MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech
2024-06-25 07:21
[天津]
天津威柏德電子有限公司
[已核實(shí)]
面議
基本公司2000V系列SiC
碳化硅
MOSFET
基本公司2000V系列SiC
碳化硅
MOSFET正在替代1500V系統(tǒng)里的IGBT!使用基本公司2000V系列SiC
碳化硅
MOSFET打造大組串SiC光伏逆變器!
2024-06-25 07:21
[天津]
天津威柏德電子有限公司
[已核實(shí)]
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光逆變器及光儲(chǔ)
碳化硅
(SiC)MOSFET
基半第二代SiC
碳化硅
MOSFET在光逆變器及光儲(chǔ)一體機(jī)中的應(yīng)用組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個(gè)光伏組串通過(guò)一個(gè)逆變器
2023-10-19 10:47
[廣東深圳市]
大芯超導(dǎo)有限公司
[已核實(shí)]
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全
碳化硅
半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3
基半PcoreTM2 E2B 全
碳化硅
半橋MOSFET模塊-工業(yè)級(jí)全
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功率模塊PcoreTM2 E2B 全
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半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3基半推出工
2023-10-19 10:46
[廣東深圳市]
大芯超導(dǎo)有限公司
[已核實(shí)]
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國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)AEC-Q101
碳化硅
(SiC)MOSFET
專業(yè)分銷BASiC基半
碳化硅
SiC功率MOSFE,BASiC基半
碳化硅
MOSFET模塊,BASiC基半單管IGBT,BASiC基半IGBT模塊,BASiC基半三電平IGBT
2023-10-19 10:45
[廣東深圳市]
大芯超導(dǎo)有限公司
[已核實(shí)]
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自主可控國(guó)產(chǎn)
碳化硅
SiC MOSFET單管及模塊代理商
BASiC基本半導(dǎo)體
碳化硅
SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體
碳化硅
MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,BAS
2023-05-17 18:57
[江蘇蘇州市]
正耀電子科技有限公司
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國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET國(guó)產(chǎn)
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功率器件專業(yè)分銷
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2022-12-28 10:15
[廣東深圳市]
新銳晶科技(深圳)有限公司
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基本半導(dǎo)體混合
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2022-09-30 14:42
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深圳市大芯超導(dǎo)有限公司
[未核實(shí)]
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碳化硅
微粉
一:黑色
碳化硅
微粉,性脆而鋒利,并具有較好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性?! ∥⒂^形狀呈六方晶體,
碳化硅
的莫氏硬度為9.2,威氏顯微密硬
2018-07-25 09:02
[安徽滁州市]
鳳陽(yáng)匯精亞納米新材料科技有限公司
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